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FZ500R65KE3T

型号：

FZ500R65KE3T

描述：

高绝缘模块[ high insulated module ]

品牌：

INFINEON[ Infineon ]

页数：

9 页

PDF大小：

473 K

下载PDF手册
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ500R65KE3T  
hochisolierendes Modul  
high insulated module  
Vorläufige Daten / preliminary data  
V†Š» = 6500V  
I† ÒÓÑ = 500A / I†ç¢ = 1000A  
Typische Anwendungen  
Typical Applications  
Mittelspannungsantriebe  
Traktionsumrichter  
Medium Voltage Converters  
Traction Drives  
•
•
•
•
Elektrische Eigenschaften  
Niedriges V†ŠÙÈÚ  
Electrical Features  
Low V†ŠÙÈÚ  
•
•
Mechanische Eigenschaften  
Mechanical Features  
AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische  
Lastwechselfestigkeit  
AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling  
Capability  
•
•
Erweiterter Lagertemperaturbereich bis zu TÙÚÃ =  
-55°C  
Extended Storage Temperature down to TÙÚÃ =  
-55°C  
•
•
Gehäuse mit CTI > 600  
Package with CTI > 600  
•
•
•
•
Gehäuse mit erweiterten Isolationseigenschaften  
von 10,2kV AC 1min  
Package with enhanced Insulation of 10.2kV AC  
1min  
Große Luft- und Kriechstrecken  
High Creepage and Clearance Distances  
•
•
Module Label Code  
Barcode Code 128  
Content of the Code  
Digit  
Module Serial Number  
1 - 5  
Module Material Number  
Production Order Number  
Datecode (Production Year)  
Datecode (Production Week)  
6 - 11  
12 - 19  
20 - 21  
22 - 23  
DMX - Code  
prepared by: TH  
approved by: TS  
date of publication: 2010-12-13  
revision: 2.0  
material no: 33876  
UL approved (E83335)  
1
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ500R65KE3T  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = -50°C  
6500  
6500  
5900  
V†Š»  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C  
t« = 1 ms  
I† ÒÓÑ  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
500  
1000  
9,60  
+/-20  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
kW  
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 500 A, V•Š = 15 V  
I† = 500 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
3,00 3,40  
3,70  
V
V
V†Š ÙÈÚ  
V•ŠÚÌ  
Q•  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 70,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V, V†Š = 3600V  
TÝÎ = 25°C  
5,4  
6,0  
20,0  
1,1  
6,6  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 6500 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
135  
2,10  
nF  
nF  
mA  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
CØþÙ  
I†Š»  
I•Š»  
tÁ ÓÒ  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
5,0  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
400 nA  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 500 A, V†Š = 3600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,5 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,70  
0,80  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 500 A, V†Š = 3600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,5 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,33  
0,40  
µs  
µs  
tØ  
tÁ ÓËË  
tË  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 500 A, V†Š = 3600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 10 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
7,30  
7,60  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 500 A, V†Š = 3600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 10 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,40  
0,50  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 500 A, V†Š = 3600 V, L» = 280 nH  
V•Š = ±15 V, di/dt = 2000 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 125°C  
R•ÓÒ = 1,5 Â  
TÝÎ = 25°C  
2800  
4300  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 500 A, V†Š = 3600 V, L» = 280 nH  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 10 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
2400  
2800  
mJ  
mJ  
EÓËË  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 4500 V  
I»†  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
pro IGBT / per IGBT  
pro IGBT / per IGBT  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C  
3000  
13,0  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
13,0 K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
K/kW  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: TH  
approved by: TS  
date of publication: 2010-12-13  
revision: 2.0  
2
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ500R65KE3T  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Diode-Wechselrichter / diode-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = -50°C  
6500  
6500  
5900  
Vçç¢  
V
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IŒ  
500  
1000  
210  
A
A
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forward current  
t« = 1 ms  
IŒç¢  
I²t  
Grenzlastintegral  
I²t - value  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 125°C  
kA²s  
kW  
µs  
Spitzenverlustleistung  
maximum power dissipation  
P笢  
tÓÒ ÑÍÒ  
2000  
10,0  
Mindesteinschaltdauer  
minimum turn-on time  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
forward voltage  
IŒ = 500 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 500 A, V•Š = 0 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
3,00 3,50  
2,95  
V
V
VŒ  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
IŒ = 500 A, - diŒ/dt = 2000 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
730  
800  
A
A
Vç = 3600 V  
V•Š = -15 V  
Iç¢  
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
IŒ = 500 A, - diŒ/dt = 2000 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C  
Vç = 3600 V  
V•Š = -15 V  
570  
1050  
µC  
µC  
TÝÎ = 125°C  
QØ  
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
IŒ = 500 A, - diŒ/dt = 2000 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C  
Vç = 3600 V  
V•Š = -15 V  
930  
2000  
mJ  
mJ  
TÝÎ = 125°C  
EØþÊ  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode / per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
28,0 K/kW  
K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Diode / per diode  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
21,0  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: TH  
approved by: TS  
date of publication: 2010-12-13  
revision: 2.0  
3
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ500R65KE3T  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Modul / module  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
insulation test voltage  
Vš»¥¡  
10,2  
5,1  
kV  
kV  
V
Teilentladungs Aussetzspannung  
RMS, f = 50 Hz, Q«‡ typ 10 pC (acc. to IEC 1287)  
partial discharge extinction voltage  
Vš»¥¡  
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung  
TÝÎ = 25°C, 100 fit  
V†Š ‡  
3800  
AlSiC  
AlN  
DC stability  
Material Modulgrundplatte  
material of module baseplate  
Material für innere Isolation  
material for internal insulation  
Kriechstrecke  
creepage distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
56,0  
56,0  
mm  
mm  
Luftstrecke  
clearance distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
26,0  
26,0  
Vergleichszahl der Kriechwegbildung  
comparative tracking index  
CTI  
> 600  
min. typ. max.  
20  
Modulinduktivität  
stray inductance module  
LÙ†Š  
nH  
Modulleitungswiderstand,  
Anschlüsse - Chip  
module lead resistance,  
terminals - chip  
R††óôŠŠó  
Rƒƒóô††ó  
0,18  
0,18  
T† = 25°C, pro Schalter / per switch  
m  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper  
TÝÎ ÑÈà  
TÝÎ ÓÔ  
TÙÚÃ  
150  
°C  
°C  
°C  
Temperatur im Schaltbetrieb  
temperature under switching conditions  
-50  
-55  
125  
125  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung  
mounting torque  
Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
screw M6 - mounting according to valid application note  
M
4,25  
-
5,75 Nm  
2,1 Nm  
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse  
terminal connection torque  
Schraube M4 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
screw M4 - mounting according to valid application note  
Schraube M8 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
screw M8 - mounting according to valid application note  
1,8  
8,0  
-
-
M
G
10  
Nm  
g
Gewicht  
weight  
1000  
prepared by: TH  
approved by: TS  
date of publication: 2010-12-13  
revision: 2.0  
4
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ500R65KE3T  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
TÝÎ = 125°C  
V•Š = 15 V  
1000  
1000  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
V•Š = 20 V  
V•Š = 15 V  
V•Š = 12 V  
V•Š = 10 V  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
0,0  
1,0  
2,0  
3,0  
V†Š [V]  
4,0  
5,0  
6,0  
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0  
V†Š [V]  
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)  
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V•Š)  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-inverter (typical)  
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)  
V†Š = 20 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 1.5 Â, R•ÓËË = 10 Â, V†Š = 3600 V  
1000  
12000  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
11000  
10000  
9000  
8000  
7000  
6000  
5000  
4000  
3000  
2000  
1000  
0
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
6
7
8
9 10  
V•Š [V]  
11  
12  
13  
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000  
I† [A]  
prepared by: TH  
approved by: TS  
date of publication: 2010-12-13  
revision: 2.0  
5
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ500R65KE3T  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-Inverter (typical)  
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)  
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.  
transient thermal impedance IGBT-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
V•Š = ±15 V, I† = 500 A, V†Š = 3600 V  
9000  
100  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
ZÚÌœ† : IGBT  
8000  
7000  
6000  
5000  
4000  
3000  
2000  
1000  
0
10  
1
i:  
rÍ[K/kW]: 0,66 8,43 2,51 1,44  
τÍ[s]: 0,004 0,044 0,405 3,93  
1
2
3
4
0,1  
0,001  
0
2
4
6
8 10  
R• [Â]  
12  
14  
16  
18  
0,01  
0,1  
1
10  
100  
t [s]  
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)  
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)  
I† = f (V†Š)  
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)  
forward characteristic of diode-inverter (typical)  
IŒ = f (VŒ)  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 10 Â, TÝÎ = 125°C  
1200  
1000  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1100  
1000  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
0
1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000  
V†Š [V]  
0,0  
1,0  
2,0  
3,0  
4,0  
5,0  
VŒ [V]  
prepared by: TH  
approved by: TS  
date of publication: 2010-12-13  
revision: 2.0  
6
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ500R65KE3T  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (IŒ)  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (R•)  
R•ÓÒ = 1.5 Â, V†Š = 3600 V  
IŒ = 500 A, V†Š = 3600 V  
3000  
2100  
1800  
1500  
1200  
900  
600  
300  
0
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
2700  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
2400  
2100  
1800  
1500  
1200  
900  
600  
300  
0
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000  
IŒ [A]  
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
R• [Â]  
2,5  
3,0  
3,5  
4,0  
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.  
transient thermal impedance diode-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
Sicherer Arbeitsbereich Diode-Wechselr. (SOA)  
safe operation area diode-inverter (SOA)  
Iç = f(Vç)  
TÝÎ = 125°C  
100  
1200  
ZÚÌœ† : Diode  
Iç, Modul  
1100  
1000  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
10  
1
i:  
1
2
3
rÍ[K/kW]: 4,04 17,24 4,23 2,41  
4
τÍ[s]:  
0,005 0,048 0,313 3,348  
0,1  
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
100  
0
1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000  
Vç [V]  
t [s]  
prepared by: TH  
approved by: TS  
date of publication: 2010-12-13  
revision: 2.0  
7
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ500R65KE3T  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltplan / circuit diagram  
Gehäuseabmessungen / package outlines  
prepared by: TH  
approved by: TS  
date of publication: 2010-12-13  
revision: 2.0  
8
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ500R65KE3T  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Nutzungsbedingungen  
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die  
Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten  
Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.  
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung  
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen  
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.  
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere  
eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen  
Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.  
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu  
den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in  
Verbindung.  
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder  
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle  
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;  
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;  
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und  
gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.  
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.  
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.  
Terms & Conditions of usage  
The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical  
departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product  
data with respect to such application.  
This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is  
granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the  
product and its characteristics.  
Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific  
application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com, sales&contact). For  
those that are specifically interested we may provide application notes.  
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please  
contact the sales office, which is responsible for you.  
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please  
notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend  
- to perform joint Risk and Quality Assessments;  
- the conclusion of Quality Agreements;  
- to establish joint measures of an ongoing product survey,  
and that we may make delivery depended on the realization  
of any such measures.  
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.  
Changes of this product data sheet are reserved.  
prepared by: TH  
approved by: TS  
date of publication: 2010-12-13  
revision: 2.0  
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厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

 		FZ500R12KF 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1.2KV V（ BR ） CES | 500A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 500A I(C) | M:HL093HW048 ] 2 页

ETC

 		FZ500R12KL 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1.2KV V（ BR ） CES | 500A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 500A I(C) | M:HL093HW048 ] 2 页

INFINEON

 		FZ500R65KE3 高绝缘模块[ high insulated module ] 9 页

INFINEON

 		FZ500R65KE3NOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 6500V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 ] 9 页

ETC

 		FZ50A05KN 晶体管| IGBT | N -CHAN | 500V V（ BR ） CES | 50A I（C ） | MODULE -Q\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 50A I(C) | MODULE-Q ] 2 页

ETC

 		FZ50A06KL 晶体管| IGBT功率模块|独立| 600V V（ BR ） CES | 50A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 50A I(C) ] 1 页

ETC

 		FZ50A10KN 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1KV V（ BR ） CES | 50A I（C ） | MODULE -Q\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 50A I(C) | MODULE-Q ] 2 页

ETC

 		FZ50A12KF 晶体管| IGBT功率模块|独立| 1.2KV V（ BR ） CES | 50A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) ] 1 页

ETC

 		FZ50A12KL 晶体管| IGBT功率模块|独立| 1.2KV V（ BR ） CES | 50A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) ] 1 页

MOLEX

 		FZ50P0G1 [ D Subminiature Connector, 50 Contact(s), Male, Solder Terminal, Plug, ROHS COMPLIANT ] 12 页

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