发布时间:2025-7-14
类别:市场分析
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摘要:
EMIB-T技术:通过TSV硅通孔实现更高密度的芯片互连
随着半导体工艺的不断进步,芯片设计逐渐从单一SoC(系统级芯片)向多芯片异构集成方向发展。为了满足高性能计算、人工智能和5G通信等领域的需求,芯片间的互连技术变得至关重要。Intel提出的嵌入式多芯片互连桥(EMIB, Embedded Multi-die Interconnect Bridge)技术,通过嵌入在封装基板中的硅桥实现裸晶之间的高速互连。而EMIB-T(EMIB with Through-Silicon Via)进一步优化了这一技术,在硅桥中引入TSV(硅通孔)结构,使信号能够垂直穿越桥接芯片,从而实现更高密度、更低延迟的互连。
本文将详细介绍EMIB-T技术的原理、优势、应用场景,并探讨其未来发展趋势。
EMIB是一种2.5D封装技术,其核心思想是在封装基板中嵌入一块小型硅桥(Silicon Bridge),用于连接多个裸晶(Die)。与传统的中介层(Interposer)技术不同,EMIB仅在有互连需求的区域使用硅桥,而非整个芯片下方铺设硅中介层,因此具有更高的成本效益。
EMIB的主要特点包括:
局部互连:仅在芯片连接处使用硅桥,降低材料成本。
高密度布线:硅桥采用先进半导体工艺制造,可实现微米级互连间距。
低功耗、低延迟:相比有机基板互连,硅桥提供更短的信号路径,减少信号损耗。
尽管EMIB在2.5D封装中表现出色,但随着芯片集成度的提高,传统EMIB的平面互连方式面临挑战:
信号路径仍较长:芯片间通信需要横向穿越硅桥,可能引入额外延迟。
布线密度受限:仅依赖水平互连,难以满足未来3D堆叠芯片的需求。
为了克服传统EMIB的局限性,Intel在EMIB-T中引入了TSV(Through-Silicon Via,硅通孔)技术。TSV是一种垂直穿透硅片的导电通道,广泛用于3D IC封装,如HBM(高带宽存储器)的堆叠结构中。
EMIB-T的关键改进在于:
在硅桥内部集成TSV,使信号不仅能水平传输,还能垂直穿越硅桥。
实现更短的互连路径,减少信号传输延迟。
提高布线密度,支持更复杂的多芯片互连需求。
EMIB-T的结构与传统EMIB类似,但硅桥内部增加了TSV结构:
水平互连层:与传统EMIB相同,硅桥提供高密度布线,连接相邻芯片。
垂直TSV通道:信号可通过TSV直接穿透硅桥,连接到封装基板或其他芯片。
混合互连架构:结合水平(2D)和垂直(3D)互连,优化整体布线效率。
相较于传统EMIB,EMIB-T的主要优势包括:
更低的信号延迟:TSV缩短了芯片间的垂直距离,减少传输时间。
更高的互连密度:TSV允许在Z轴方向增加互连层,提升整体带宽。
更好的热管理:垂直互连可优化散热路径,降低芯片温度。
兼容现有封装技术:无需完全改变封装架构,即可实现性能提升。
EMIB-T技术适用于需要高带宽、低延迟的先进封装场景,主要包括:
CPU+GPU异构计算:如Intel的Ponte Vecchio GPU,采用EMIB-T连接计算单元和HBM内存。
AI加速芯片:多颗AI加速器通过EMIB-T实现高速数据交换。
射频前端模组(RF FEM):通过EMIB-T集成PA(功率放大器)、LNA(低噪声放大器)等组件。
高速SerDes互连:减少信号损耗,提高数据传输速率。
HBM与逻辑芯片的3D堆叠:EMIB-T可优化HBM与CPU/GPU的连接效率。
Chiplet架构:如AMD的3D V-Cache技术,未来可能采用EMIB-T优化互连。
EMIB-T代表了2.5D/3D封装技术的演进方向,未来可能的发展包括:
与Foveros 3D封装结合:Intel已提出将EMIB与Foveros(3D堆叠技术)结合,形成更灵活的异构集成方案。
更小尺寸的TSV:随着制程进步,TSV的直径和间距将进一步缩小,提高互连密度。
光互连集成:未来可能探索硅光互连与EMIB-T的结合,实现超高速数据传输。
EMIB-T技术通过引入TSV结构,在传统EMIB的基础上实现了更高密度、更低延迟的芯片互连。它不仅提升了现有封装方案的性能,还为未来3D异构集成提供了新的可能性。随着半导体行业向Chiplet(小芯片)架构发展,EMIB-T将成为高性能计算、AI和5G通信等领域的关键技术之一。
未来,我们可以期待更多结合EMIB-T的创新封装方案,推动半导体行业向更高集成度、更高能效的方向发展。
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