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PSMN4R3-40MSHX 复制

品牌:NEXPERIA复制

编号:E016247

类目: 开关二极管

正向压降(Vf): 1.25V@150mA

直流反向耐压(Vr): 100V

整流电流: 215mA

反向电流(Ir): 500nA@80V

1+: ¥ 12.050000

10+: ¥ 10.880000

100+: ¥ 8.450000

500+: ¥ 6.970000

1000+: ¥ 5.500000

1500+: ¥ 4.790000

3000+: ¥ 4.700000

CN: 255+

1 个/EA

总额:¥ 12.05

DMP2305U-7 复制

品牌:DIODES INC.复制

编号:E016245

类目:场效应管(MOSFET)

5+: ¥ 2.060000

100+: ¥ 1.220000

500+: ¥ 0.860000

1000+: ¥ 0.650000

3000+: ¥ 0.470000

9000+: ¥ 0.450000

24000+: ¥ 0.380000

45000+: ¥ 0.370000

CN: 255+

1 个/EA

总额:¥ 10.3

BSC014NE2LSIATMA1 复制

品牌:INFINEON复制

编号:E016207

类目: 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss): 55V

连续漏极电流(Id): 110A

导通电阻(RDS(on)): 8mΩ@10V,62A

耗散功率(Pd): 200W

1+: ¥ 12.560000

10+: ¥ 11.250000

100+: ¥ 8.820000

500+: ¥ 7.240000

1000+: ¥ 5.710000

5000+: ¥ 5.340000

MY: 255+

1 个/EA

总额:¥ 12.56

BUK7S0R7-40HJ 复制

品牌:NEXPERIA复制

编号:E016203

类目: 开关二极管

正向压降(Vf): 1.25V@150mA

直流反向耐压(Vr): 100V

整流电流: 215mA

反向电流(Ir): 500nA@80V

1+: ¥ 47.230000

10+: ¥ 42.410000

100+: ¥ 34.750000

500+: ¥ 29.580000

1000+: ¥ 24.950000

PH: 255+

1 个/EA

总额:¥ 47.23

R6076ENZ1C9 复制

品牌:ROHM复制

编号:E016137

类目: 数字晶体管

集射极击穿电压(Vceo): 50V

集电极电流(Ic): 100mA

耗散功率(Pd): 150mW

1+: ¥ 46.350000

TH: 255+

1 个/EA

总额:¥ 46.35

2ED21824S06JXUMA1 复制

品牌:INFINEON复制

编号:E016118

类目: 场效应管(MOSFET)

漏源电压(Vdss): 55V

连续漏极电流(Id): 110A

导通电阻(RDS(on)): 8mΩ@10V,62A

耗散功率(Pd): 200W

1+: ¥ 22.410000

10+: ¥ 20.130000

25+: ¥ 19.030000

100+: ¥ 16.530000

250+: ¥ 15.650000

500+: ¥ 14.030000

1000+: ¥ 12.860000

2500+: ¥ 12.120000

MY: 255+

1 个/EA

总额:¥ 22.41

RJU002N06FRAT106 复制

品牌:ROHM复制

编号:E016115

类目: 数字晶体管

手册:  

集射极击穿电压(Vceo): 50V

集电极电流(Ic): 100mA

耗散功率(Pd): 150mW

5+: ¥ 0.450000

TH: 255+

1 个/EA

总额:¥ 2.25

FCH47N60NF 复制

品牌:ONSEMI复制

编号:E016109

类目:场效应管(MOSFET)

1+: ¥ 37.100000

CN: 255+

1 个/EA

总额:¥ 37.1

BSS138K 复制

品牌:ONSEMI复制

编号:E016043

类目:场效应管(MOSFET)

5+: ¥ 1.960000

100+: ¥ 1.120000

500+: ¥ 0.740000

1000+: ¥ 0.570000

3000+: ¥ 0.490000

6000+: ¥ 0.450000

9000+: ¥ 0.430000

CN: 255+

1 个/EA

总额:¥ 9.8

IPB200N25N3GATMA1 复制

品牌:INFINEON复制

编号:E016025

类目: 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss): 55V

连续漏极电流(Id): 110A

导通电阻(RDS(on)): 8mΩ@10V,62A

耗散功率(Pd): 200W

1+: ¥ 60.230000

10+: ¥ 54.420000

100+: ¥ 45.030000

500+: ¥ 39.230000

1000+: ¥ 34.160000

MY: 255+

1 个/EA

总额:¥ 60.23

BSC034N06NSATMA1 复制

品牌:INFINEON复制

编号:E016015

类目: 场效应管(MOSFET)

漏源电压(Vdss): 55V

连续漏极电流(Id): 110A

导通电阻(RDS(on)): 8mΩ@10V,62A

耗散功率(Pd): 200W

1+: ¥ 13.960000

10+: ¥ 12.120000

100+: ¥ 9.920000

500+: ¥ 8.230000

1000+: ¥ 6.410000

2500+: ¥ 6.260000

5000+: ¥ 6.170000

10000+: ¥ 6.000000

MY: 255+

1 个/EA

总额:¥ 13.96

BSO150N03MDGXUMA1 复制

品牌:INFINEON复制

编号:E015894

类目: 场效应管(MOSFET)

漏源电压(Vdss): 55V

连续漏极电流(Id): 110A

导通电阻(RDS(on)): 8mΩ@10V,62A

耗散功率(Pd): 200W

1+: ¥ 9.040000

10+: ¥ 8.160000

100+: ¥ 6.310000

500+: ¥ 5.220000

1000+: ¥ 4.120000

2500+: ¥ 3.850000

10000+: ¥ 3.740000

CN: 255+

1 个/EA

总额:¥ 9.04

ACST1235-8FP 复制

品牌:STMICROELECTRONICS复制

编号:E015889

类目: 晶闸管(可控硅)/模块

保持电流(Ih): 30mA

断态峰值电压(Vdrm): 800V

门极触发电流(Igt): 35mA

通态峰值电压(Vtm): 1.5V

1+: ¥ 4.540000

CN: 255+

1 个/EA

总额:¥ 4.54

AUIRF7647S2TR 复制

品牌:INFINEON复制

编号:E015819

类目: 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss): 55V

连续漏极电流(Id): 110A

导通电阻(RDS(on)): 8mΩ@10V,62A

耗散功率(Pd): 200W

1+: ¥ 8.070000

MX: 255+

1 个/EA

总额:¥ 8.07

TCMT1113 复制

品牌:VISHAY复制

编号:E015749

类目: 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss): 400V

连续漏极电流(Id): 6.3A

导通电阻(RDS(on)): 550mΩ@10V,6A

耗散功率(Pd): 125W

1+: ¥ 5.570000

10+: ¥ 3.250000

100+: ¥ 2.380000

500+: ¥ 2.260000

1000+: ¥ 1.880000

3000+: ¥ 1.640000

6000+: ¥ 1.620000

9000+: ¥ 1.590000

24000+: ¥ 1.550000

MY: 255+

1 个/EA

总额:¥ 5.57

IPG20N10S4L22ATMA1 复制

品牌:INFINEON复制

编号:E015720

类目: 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss): 55V

连续漏极电流(Id): 110A

导通电阻(RDS(on)): 8mΩ@10V,62A

耗散功率(Pd): 200W

1+: ¥ 12.350000

10+: ¥ 11.090000

100+: ¥ 8.680000

500+: ¥ 7.110000

1000+: ¥ 5.250000

5000+: ¥ 4.970000

10000+: ¥ 4.800000

MY: 255+

1 个/EA

总额:¥ 12.35

IRF7306TRPBF 复制

品牌:INFINEON复制

编号:E015657

类目: 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss): 55V

连续漏极电流(Id): 110A

导通电阻(RDS(on)): 8mΩ@10V,62A

耗散功率(Pd): 200W

1+: ¥ 8.230000

10+: ¥ 7.350000

100+: ¥ 5.740000

500+: ¥ 4.740000

1000+: ¥ 4.110000

4000+: ¥ 3.490000

8000+: ¥ 3.440000

CN: 255+

1 个/EA

总额:¥ 8.23

HIP4086ABZT 复制

品牌:RENESAS复制

编号:E015609

类目: 其他接口

手册:  

商品目录: 其他接口

接口类型: PCIe

数据速率: 5Gbps

工作温度: -40℃~+85℃

1+: ¥ 48.850000

10+: ¥ 44.130000

25+: ¥ 41.420000

100+: ¥ 36.560000

250+: ¥ 34.920000

500+: ¥ 32.350000

1000+: ¥ 26.850000

2000+: ¥ 26.330000

CN: 255+

1 个/EA

总额:¥ 48.85

SQ2308CES-T1_GE3 复制

品牌:VISHAY复制

编号:E015598

类目: 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss): 400V

连续漏极电流(Id): 6.3A

导通电阻(RDS(on)): 550mΩ@10V,6A

耗散功率(Pd): 125W

1+: ¥ 4.720000

10+: ¥ 4.030000

100+: ¥ 3.010000

500+: ¥ 2.360000

1000+: ¥ 1.830000

CN: 255+

1 个/EA

总额:¥ 4.72

IAUT300N08S5N012ATMA2 复制

品牌:INFINEON复制

编号:E015596

类目: 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss): 55V

连续漏极电流(Id): 110A

导通电阻(RDS(on)): 8mΩ@10V,62A

耗散功率(Pd): 200W

1+: ¥ 49.720000

10+: ¥ 44.660000

100+: ¥ 36.660000

500+: ¥ 31.150000

1000+: ¥ 26.300000

2000+: ¥ 24.980000

MY: 255+

1 个/EA

总额:¥ 49.72

Total:3612
总36条记录,每页20条,共2页。
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